פּאָרעז קעראַמיש וואַקוום טשאַק

קעראַמישער וואַקוום טשאַק איז אַ הויך-פאָרשטעלונג וואַקוום אַדסאָרפּטיאָן מיטל דיזיינד פֿאַר פּינקטלעכער אַדסאָרפּטיאָן און פיקסאַציע פון ​​וועיפערס און ינגאָטס. עס אַדאַפּט אַ קאָמפּאָזיט סטרוקטור פון פּאָרעז קעראַמיק + מעטאַל ויסווייניקסט רינג, קאַמביינד מיט קאַסטאַמייזד פּלאַן פון לופט קאַנאַלן און פּאָרעס צו דערגרייכן מונדיר אַדסאָרפּטיאָן קראַפט פאַרשפּרייטונג און הויך פעסטקייַט. פּאַסיק פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג, וועיפער קאַטינג, פּינקטלעכער מאַשינינג און אנדערע סינעריאָוז, שטיצן הויך טעמפּעראַטור, הויך גיכקייַט באַוועגונג סוויווע, קענען טרעפן די קאַמפּאַטאַבילאַטי באדערפענישן פון פאַרשידענע סיזעס פון וועיפערס / ינגאָטס.

קאַסטאַמייזד דינסט

גרייס און לאָוד קאַסטאַמייזיישאַן

סטאָמאַטאַ און לופטוועג אָפּטימיזאַציע

ספּעציעלע אַדאַפּטאַציע פון ​​דער סביבה

דיזיין ביישפּיל

פּראָדוקציע פון ​​סעמיקאַנדאַקטער

עפּיטאַקסיאַל וווּקס: סטאַביל אַדסאָרפּציע פון ​​SiC וועיפערס ביי הויך טעמפּעראַטורן צו ויסמיידן וואָרפּינג און קאַנטאַמאַניישאַן.

ליטאָגראַפֿיע און עטשינג: פּינקטלעכע פּאָזיציאָנירן אין דער הויך-גיכקייט באַוועגלעך פּלאַטפאָרמע (אַקסעלעראַציע ≤10G) צו ענשור די אַקיעראַסי פון גראַפֿיש אַליינמאַנט.

אינגאָט פּראַסעסינג

שניידן און שלייפן: אדסאָרפּציע פון ​​שווערע קריסטאַל ינגאָטס (אַזאַ ווי סאַפיר, סיליקאָן קאַרבייד ינגאָט) צו אונטערדריקן ראַנד קראַקינג געפֿירט דורך ווייבריישאַן.

וויסנשאפטלעכע פאָרשונג און ספּעציעלע טעכנאָלאָגיע

הויך טעמפּעראַטור אַנילינג: פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד סאַקשאַן טעפּלעך אַרבעטן פֿאַר אַ לאַנג צייט ביי 1600°C, אָן דעפאָרמאַציע און ווענטילאַציע פאַרפּעסטיקונג.

וואַקוום קאָוטינג: הויך לופט טייטנאַס פּלאַן, קאַמפּאַטאַבאַל מיט PVD/CVD קאַוואַטי סוויווע.

קערן סטרוקטור און מאַטעריאַל אַדוואַנידזשיז

1. מולטילייער קאָמפּאָזיט פּלאַן

ייבערפלאַך שיכט: פּאָרעז קעראַמיק (אפציאָנעל פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד אָדער פּאָרעז גראַפיט), עפענונג אַדזשאַסטאַבאַל (10-200μm) צו ענשור מונדיר אַריבערפירן פון אַדסאָרפּטיאָן קראַפט צו די וועיפער ייבערפלאַך צו ויסמיידן היגע דרוק קאַנסאַנטריישאַן.

מאַטריץ: הויך שטרענג מעטאַל ראַם (ומבאַפלעקט שטאָל אָדער אַלומינום צומיש) צו צושטעלן סטרוקטורעלע שטיצע און לופט-דיכטקייט.

לופטוועגן און פּאָרן: די אינערלעכע נעץ פון פּינקטלעך מאַשינירט לופטוועגן און גלייַך פאַרשפּרייטע מיקראָפּאָרן שטיצן שנעל וואַקוום עקסטראַקציע (אַדסאָרפּציע קראַפט ביז -90kPa) און אינסטאַנטאַניאַס מעלדונג.

2. פאַרגלייַך פון מאַטעריאַל אייגנשאַפטן

3. שליסל פאָרשטעלונג און טעכנישע פּאַראַמעטערס

פ: ווי אזוי אויסצוקלײַבן פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד און פּאָרעז גראַפיט טשאַק? וואָס זענען די הויפּט אונטערשיידן צווישן פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד און פּאָרעז גראַפיט טשאַק אין הויך-טעמפּעראַטור פּראָצעסן? ווי אזוי אויסצוקלײַבן דאָס ריכטיקע מאַטעריאַל פֿאַר דעם אַפּליקאַציע סצענאַר?

A: פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד טשאַק:

טעמפּעראַטור קעגנשטעל: קען אַרבעטן סטאַביל ביי עקסטרעם הויכע טעמפּעראַטורן ≤1600°C (אַזאַ ווי SiC עפּיטאַקסי, הויך טעמפּעראַטור אַנילינג), ויסגעצייכנט טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל, פּאַסיק פֿאַר דער סצענע פון ​​דראַסטיש טעמפּעראַטור פלוקטואַציעס.

קעראָוזשאַן קעגנשטעל: אַנטקעגנשטעלנ זיך שטאַרק זויער, אַלקאַלי און פּלאַזמע יראָוזשאַן, פּאַסיק פֿאַר עטשינג, יאָן ימפּלאַנטיישאַן און אנדערע קעראָוזיוו גאַז פּראָצעס.

פּאָרעז גראַפיט טשאַק:

טערמישע קאַנדאַקטיוויטי: העכערע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי (200-400 W/m·K), פּאַסיק פֿאַר סצענאַרן וואָס דאַרפן שנעלע היץ אַריבערפירן (אַזאַ ווי וואַפער קאַטינג היץ דיסיפּיישאַן).

עקאנאמיע: נידעריקע קאסטן, פאסיג פאר ≤800°C מיטלערע טעמפעראטור סביבה (אזוי ווי פאקעטירן, גרינדן).

סעלעקציע אינפֿאָרמאַציע:

אויב די פּראָצעס טעמפּעראַטור איז > 800°C אָדער קעראָוזשאַן קעגנשטעל איז פארלאנגט, פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד איז בילכער; אויב איר זוכט קאָסטן-עפעקטיוו און נידעריק פּראָצעס טעמפּעראַטור, קען מען קלייַבן פּאָרעז גראַפיט.