סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג גראַפיט טאַץ

סעמיקסלאַב ספּעציעלע גראַפיט רוי מאַטעריאַלן פֿאַר סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג גראַפיט טאַץ

ביי סעמיקסלאַב טעכנאָלאָגיע, אונדזערע סיליקאָן קאַרבייד (SiC) באדעקטע גראַפיט טאַץ זענען אינזשענירט צו פונקציאָנירן פאַרלעסלעך אין די מערסט פארלאנגטע האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָצעס סביבות - וווּ עקסטרעמע טעמפּעראַטורן, קעראָוסיוו גאַזן און גאָר ריינע באדינגונגען קומען צוזאַמען. די טאַץ קאָמבינירן די טערמישע און מעכאַנישע אַדוואַנטאַגעס פון הויך-דענסיטי יסאָסטאַטיק גראַפיט מיט די אויסערגעוויינלעכע כעמישע פעסטקייט און ייבערפלאַך אָרנטלעכקייט פון אַ דענסער CVD סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג. דער רעזולטאַט איז אַ ראָבוסט, הויך-ריינקייט קאָמפּאָנענט וואָס שפּילט אַ וויכטיקע ראָלע אין אויפהאלטן פּראָצעס יוניפאָרמאַטי, ייעלד קאָנסיסטענסי און געצייַג אַפּטיים אַריבער אַ פאַרשיידנקייט פון פראָנט-ענד וועיפער פאַבריקאַציע סטעפּס.

אינערהאלב עפּיטאַקסיאַל וואוקס סיסטעמען—אַרייַנגערעכנט סיליקאָן (Si) און סיליקאָן קאַרבייד (SiC) עפּיטאַקסי—פֿונקציאָנירט די SiC באדעקטע גראַפֿיט טאַץ ווי אַ פּרעציזיע וועיפֿער טרעגער אָדער סאַסעפּטאָר באַזע. עס גיט סטאַבילע מעכאַנישע שטיצע בשעת עס האַלט אַ מונדיר טעמפּעראַטור פאַרשפּרייטונג אַריבער די וועיפֿער ייבערפלאַך, וואָס איז קריטיש פֿאַר פֿילם גרעב קאָנטראָל, דאָפּאַנט מונדירקייט, און קריסטאַל קוואַליטעט. די SiC קאָוטינג אַקט ווי אַ כעמיש ינערט באַריער וואָס איזאָלירט די גראַפֿיט סאַבסטראַט פֿון רעאַקטיווע גאַזן ווי H₂, HCl, און SiHCl₃, פאַרהיטנדיק טשאַד קאַנטאַמאַניישאַן אָדער גאַז-פֿאַזע רעאַקציעס. איר שפּיגל-גלאַט ייבערפלאַך מינאַמייזיז פּאַרטיקל דזשענעריישאַן און ענייבאַלז לאַנג-טערמין אָפּעראַציע אין הויך טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ ביז 1650 °C אָן דעגראַדאַציע.

סיליקאָן קאַרבייד קאָוטינג גראַפיט טאַץ אַפּלאַקיישאַן סצענאַריאָס

אין MOCVD און קאַמפּאַונד האַלב-קאָנדוקטאָר דעפּאַזישאַן פּראָצעסן—גענוצט פֿאַר GaN, GaAs, און InP דעווייס פאַבריקאַציע—דינט דער טאַץ ווי אַ הויך-טעמפּעראַטור וועיפער טרעגער וואָס מוז וויטשטיין ריפּיטיד ויסשטעלן צו הידראָגען און אַמאָניאַק-באַזירט כעמיעס. די העכערע קעראָוזשאַן קעגנשטעל פון די SiC קאָוטינג פאַרהיט עראָוזשאַן און ייבערפלאַך ראַופאַנינג, וואָס ענשורז קאָנסיסטענט פילם מאָרפאָלאָגי און פאַרלענגערט קאָמפּאָנענט לעבן. די פעסטקייט איבערזעצט זיך גלייך אין מער פאָרויסזאָגבאר וווּקס באדינגונגען און העכער ויסריכט דורכפלוס פֿאַר LED, מאַכט, און RF דעווייס פּראָדוקציע.

די SiC באדעקטע גראַפיט טאַץ שפּילט אויך אַ וויכטיקע ראָלע אין דיפוזיע, אַקסאַדיישאַן, אַנילינג, און שנעלע טערמאַל פּראַסעסינג (RTP) סביבות. בעת די הויך-טעמפּעראַטור טריט, די טאַץ אַקט ווי אַ שטיצע פּלאַטפאָרמע וואָס האַלט די וועיפער אַליינמאַנט, קעגנשטעלט אַקסאַדיישאַן, און מינאַמייזיז טערמאַל דיסטאָרשאַן. איר הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוויטי אַלאַוז פֿאַר שנעל און מונדיר היץ אַריבערפירן, וואָס אַלאַוז פּינטלעכע טעמפּעראַטור קאָנטראָל און רידוסינג טערמאַל דרוק אויף די וועיפערז. די SiC באַריערע פּראַטעקץ ווייטער קעגן אַוטגאַסינג און מעטאַל קאַנטאַמאַניישאַן - צוויי הויפּט סיבות פון ייעלד אָנווער אין אַוואַנסירטע מיטל מאַנופאַקטורינג.

איבער אלע די אנווענדונגען, פונקציאנירט דער סעמיקסלאַב SiC באדעקטער גראַפיט טאַץ נישט נאָר ווי אַ מעכאַנישע פֿיקסטשור, נאָר ווי אַ פּרעציזיע-אינזשענירט פּראָצעס צובינד וואָס דעפינירט די טערמישע, כעמישע און ריינקייט פעסטקייט פון דעם גאַנצן פאַבריקאַציע שריט. דורך קאַמביינינג אַוואַנסירטע CVD קאָוטינג טעכנאָלאָגיע, הויך-ריינקייט מאַטעריאַל סעלעקציע און שטרענגע געאָמעטרישע קאָנטראָל, גיט סעמיקסלאַב קאָמפּאָנענטן וואָס טרעפן די שטרענגע פאַרלאָזלעכקייט און ריינקייט סטאַנדאַרדן פון מאָדערנע האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקן. יעדער טאַץ איז דיזיינד פֿאַר רעפּראָדוצירבאַר פאָרשטעלונג איבער קייפל פּראָצעס ציקלען, וואָס גיט די קאָנסיסטענסי און האַרטקייט פארלאנגט דורך גלאבאלע פאַבריקאַנטן וואָס נאָכגיין העכער מיטל ייעלד, נידעריקער דעפעקט געדיכטקייט און פאַרלענגערטע ויסריכט אַפּטיים.